半导体研发再突破！1nn有了新进展
创头条5月15日消息 中国台湾大学、台积电与麻省理工学院（MIT）共同发表研究，首度提出利用「半金属铋」（Bi）作为二维材料的接触电极，可大幅降低电阻并提高电流，使其效能几与硅一致，有助实现未来半导体1纳米的挑战。
这项研究已于《Nature》 期刊公开发表。
据了解，目前硅基半导体主流制程，已进展至五纳米及三纳米节点，芯片单位面积能容纳的电晶体数目，也将逼近半导体主流材料「硅」的物理极限，芯片效能无法再逐年显著提升。一直以来科学界对二维材料寄予厚望，却苦于无法解决二维材料高电阻、及低电流等问题，以至于取代硅成为新兴半导体材料一事，始终无进展。
此次由台大、台积电与麻省理工学院共同发表的研究，终于获得突破性研究成果。
据悉，使用铋为接触电极的关键结构后，二维材料电晶体的效能不但与硅基半导体相当，又有潜力与目前主流的硅基制程技术相容，有助于未来突破摩尔定律的极限。
虽然目前还处于研究阶段，但该成果能替下世代芯片提供省电、高速等绝佳条件，未来可望投入人工智能、电动车、疾病预测等新兴科技的应用。
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