2022.03.30 最新资讯-早知道

研发设计制造了热丝CVD金刚石设备，分为实验型设备和生产型设备两类。

设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜、硬质合金基金刚石涂层刀具、陶瓷轴承内孔镀金刚石薄膜等。例如可用于生产制造环保领域污水处理用的耐腐蚀金刚石导电电极。

可用于平面工件的金刚石薄膜制备，也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。

平面工作尺寸

圆形平面工作的尺寸：最大φ650mm。

矩形工作尺寸的宽度600mm/长度可根据镀膜室的长度确定（如：工件长度1200mm）。

配置冷水样品台。

热丝电源功率

可达300KW，1KW ～300KW可调（可根据用户工艺需求配置功率范围）

设备安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护

-设置水压检测与报警保护装置

-设置水流检测报警装置

设备构成

真空室构成

双层水冷结构，立式圆形、立式D形、立式矩形、卧式矩形,前后开门，真空尺寸,根据工件尺寸和数量确定。

热丝

热丝材料：钽丝、或钨丝

热丝温度：1800℃～ 2500℃ 可调

样品台

可水冷、可加偏压、可旋转、可升降 ，由调速电机控制，可实现自动升降，（热丝与衬底间距在5 ～ 100mm范围内可调），要求升降平稳,上下波动不大于0.1mm。

工作气路（CVD）

工作气路根据用户工艺要求配置：

下面气体配置是某一用户的配置案例。

H2(5000sccm，浓度100%)

CH4(200sccm，浓度100%)

B2H6（50sccm，H2浓度99%）

Ar(1000sccm，浓度100%)

真空获得及测量系统

控制系统及软件

二、实验型 热丝CVD金刚石设备

单面热丝CVD金刚石设备

双面热丝CVD金刚石设备

生产型热丝CVD金刚石设备

可制备金刚石面积-宽650*1200mm

可制备金刚石φ 650mm

公司已投放市场的部分半导体设备

|物理气相沉积（PVD）系列

磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，激光沉积设备PLD、离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机

|化学气相沉积（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD

|超高真空系列

分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）

|成套设备

团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备（G1、G2.5）

|其它

金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉

|真空镀膜机专用电源/真空镀膜机控制系统及软件

直流溅射电源、RF射频溅射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽）、控制系统及软件

团队部分业绩分布

完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10^-8Pa。典型用户：浙江大学光学仪器国家重点实验室。

采用磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积PECVD技术，设计制造了团簇式太阳能薄膜电池中试线。典型用户：中科院电工所。

采用热丝法，设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与生产。典型用户：中国科学院金属研究所。

设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。典型用户：武汉国家光电实验室。

设计制造了科研型的磁控溅射仪，典型用户：南方科技、哈尔滨工业大学、南京大学、浙江大学、南开大学、武汉理工大学。

设计制造了磁控溅射生产型设备，用于半导体器件的生产，典型用户：武汉光迅科技有限公司、深圳彩煌热电技术公司。

设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。典型用户：香港城市大学先进材料实验室、吉林奥来德光电材料股份有限公司。

设计制造了电子束镀膜机。典型用户：武汉理工大学、南方科技大学、中国计量大学。

设计制造了高真空电阻热蒸发镀膜机、高真空电极制备镀膜机。典型用户：江苏大学、北京大学。

团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累

2019年

设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。

2017年

-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。

-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。

2001年与南昌大学合作

设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。

2015年中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作

制造了金刚石外延设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。

2007年与兰州大学物理学院合作

设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。

2006年与中国科技大学合作

设计设计超高温CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生长。

2005年与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作

设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。