赛迪智库丨MRAM——人工智能时代的新型存储器

原标题：赛迪智库丨MRAM——人工智能时代的新型存储器

磁性随机存储器(Magnetic RAM，MRAM)是一种利用电子自旋方向存储信息的技术。它具有高读写速度，高集成度，无限次可重复擦写的特点，是一种未来可能的通用型存储器。

根据麦肯锡的报告，人工智能可以使半导体企业从系列技术创新中获得总价值的40%到50%，而其中存储将实现最高的增长。以深度学习为代表的人工智能应用需要密集的卷积阵列，包括CPU、GPU在内的传统计算架构性能受限于数据传输带宽，内存计算(In-memory Computing)架构或许能够在人工智能领域实现更好的性能。MRAM等新兴的非易失存储器将成为实现该架构的关键技术之一。

第一代MRAM是toggle MRAM，采取磁场写入数据的方式，其特点是容易设计制造，缺点在于尺寸大，难以微缩。

第二代MRAM是STT MRAM，采用自旋极化电流写入的方式，相比于第一代产品具有更快的速度，更高的能效比，以及更容易微缩。

MRAM读写速率及耐久度和DRAM相当，但是具有非易失性，无需刷新电流的优点。

根据MRAM商业公司Everspin的数据，第一代Toggle MRAM市场主要集中在PLC、游戏、医学仪器、高端仪表、磁盘阵列日志存储、工业等领域，未来有一定增长空间，主要的机会将会在汽车电子领域。2019年，Toggle MRAM的市场规模估计在5.51亿美元，并且在未来能够达到年均复合增长率6%，到2022年达到6.56亿美元。

STT-MRAM市场将主要在SSD领域，未来还具有较大增长空间，可能的机遇在RAID、存储加速、网络加速、视频监控、以及内存计算等领域。2019年，STT-MRAM市场规模估计9.95亿美元，预计未来年均复合增长率高达30%，到2022年达到22.1亿美元。

美国AI加速器初创公司Gyrfalcon Technology Inc. (GTI)已经将MRAM技术运用于移动端和物联网应用中的卷积神经网络(CNN)加速。相比于SRAM，将MRAM用于存储CNN中的系数，能够在读写速率不变的情况下，使功耗降低20%-50%，并且具备瞬时启动的能力。未来，MRAM或许将广泛用于物联网等对功耗敏感应用。

后续，中国电子信息产业发展研究院将组织行业顶级专家对国产MRAM产业进行讨论。为更好的促进行业交流，中国电子信息产业发展研究院将于2019年10月25-26日在青岛举办第十四届“中国芯”集成电路产业促进大会“存储产业发展主题论坛”，邀请紫光、长鑫、驰拓等国内优秀的存储企业代表、业内专家，从技术、产业等多个层面共同交流产业经验，探讨我国存储器的发展路径，敬请持续关注。

感谢所有“中国芯”参与企业和协助单位的大力支持!

一、会议组织机构

主办单位：中国电子信息产业发展研究院

二、会议时间与地点

2019年10月25-26日 青岛

三、联系方式

联系人：黄阳棋

联系电话：010-68209293

联系邮箱：huangyangqi@ccidthinktank.com返回搜狐，查看更多

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